微流控芯片分析以芯片為操作平臺, 同時以分析化學為基礎,以微機電加工技術(shù)為依托,以微管道網(wǎng)絡為結(jié)構(gòu)特征,以生命科學為主要應用對象，是微全分析系統(tǒng)領域的發(fā)展重點。其目標是將整個實驗室的功能，包括采樣、稀釋、試劑添加、反應、分離、檢測等集成在微芯片上，并且可以多次使用。它是一個高度集成的芯片平臺，具有低材料消耗、運行時間短、價格低廉、使用安全、高通量、低污染等特點，在微技術(shù)領域形成了固有優(yōu)勢。

　　微流控芯片特征主要是其容納流體的有效結(jié)構(gòu)（通道、反應室和其它某些功能部件）至少在一個緯度上為微米級尺度。由于微米級的結(jié)構(gòu)，流體在其中顯示和產(chǎn)生了與宏觀尺度不同的性能。因此發(fā)展出分析產(chǎn)生的性能。

　　微流控芯片的光刻工藝流程如下：

　　1.仔細清洗基板；

　　2.在干凈的基片表面鍍上一層阻擋層，例如鉻、二氧化硅、氮化硅等；

　　3.再用甩膠機在阻擋層上均勻地甩上一層幾百A厚的光敏材料——光刻膠。光刻膠的實際厚度與它的粘度有關，并與甩膠機的旋轉(zhuǎn)速度的平方根成反比；

　　4.在光掩模上準備所需的通道圖案。光掩模覆蓋在襯底上，用紫外光照射涂覆有光刻膠的襯底，光刻膠產(chǎn)生光化學反應；

　　5.用光刻膠配套顯影液通過顯影的化學方法除去經(jīng)曝光的光刻膠。這樣，可用制版的方法將底片上的二維幾何圖形精確地復制到光刻膠層上；

　　6.烘干后，利用未曝光光致抗蝕劑的保護，通過化學蝕刻在阻擋層上的負膜上精確蝕刻平面二維圖形。